nand闪存（nand闪存）
大家好，杨子来为大家解答以上问题，nand闪存，nand闪存很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！
就很多消费影音产品而言，NAND闪存是比硬盘更好的存储方案，尤其是在不超过4GB的低容量应用中。随着人们不断追求功耗更低、重量更轻、性能更好的产品，NAND被证明是非常有吸引力的。可能你对nand闪存技术不太了解，这里整理了一些相关资料，希望对你有帮助。
首先，NAND闪存的一些常识
1.ONFI接口标准
ONFI(Open NAND Flash Interface)标准是由Intel、Magnum、Hynix、台湾省群联电子、SanDisk、Sony、索菲半导体宣布的连接NAND闪存和控制芯片的统一接口标准。当初制定ONFI标准的主要目的是统一当时混乱的闪存标准。
2.三星和东芝之间的阵营
2010年6月，三星和东芝开始投产符合Toggle DDR 1.0接口标准的NAND闪存。Toggle DDR NAND采用双向DQS信号控制读写操作，信号的上升沿和下降沿可以传输数据，传输速度可以提高一倍。接口带宽为133MB/s，没有内置同步时钟发生器(即NAND或异步设计)，所以其功耗会低于同步NAND。
3.闪存的同步和异步
我们常说的闪存同步和异步模式，其实是ONFI 2.0标准中增加的新特性(ToggleDDR没有同步闪存，但都是异步设计的，性能还是很强的)。ONFI 2.0标准在NAND中增加了同步时钟发生器，主控制器可以通过发送同步指令激活闪存上的同步时钟信号，使闪存工作在同步模式。这时闪存的数据传输速率会大大提高。异步模式相当于ONFI 1.0，闪存带宽50MB/s，而同步模式至少符合ONFI 2.0，闪存带宽可以达到133 MB/s以上
其实同步闪存和异步闪存都是在同一条生产线上生产的，颗粒质量有这么大的差别。比如Intel 29F64G08AAME1颗粒属于异步闪存，而Intel 29F32B08JCME2支持同步/异步模式。再比如梦龙的29F64G08CBAAB颗粒支持同步/异步模式。
第二，nand闪存技术
闪存阵列分为一系列128kB的块，这些块是NAND设备中最小的可擦除实体。擦除一个块意味着将所有位设置为“1”(并将所有字节设置为FFh)。有必要通过编程将被擦除的位从“1”改变为“0”。最小的编程实体是一个字节。一些NOR闪存可以同时读写(见下图1)。虽然NAND不能同时读和写，但它可以使用一种称为“影子”的方法在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑中已经使用了很多年，就是将BIOS从低速的rom加载到高速的RAM中。
NAND的效率很高，因为在NAND串中没有金属接触。NAND闪存单元的尺寸小于NOR (4F2:10F2)的原因是NOR的每个单元需要独立的金属接触。与NAND硬盘驱动器类似，它基于扇区(页面)，适合存储连续数据，如图片、音频或个人计算机数据。虽然通过将数据映射到RAM可以在系统级实现随机访问，但这需要额外的RAM存储空间。此外，与硬盘一样，NAND设备也有坏扇区，需要纠错码(ECC)来保持数据完整性。
存储单元面积越小，管芯面积越小。在这种情况下，NAND可以为当今的低成本消费市场提供更大存储容量的闪存产品。NAND闪存用于几乎所有的可擦除存储卡。NAND的多路复用接口为所有最新的设备和密度提供了类似的引脚输出。这种引脚输出使设计工程师能够在不改变电路板硬件设计的情况下，从较小密度的设计移植到较大密度的设计。
三。NAND和NOR闪存的比较
闪存具有快速写入(编程)和擦除的优点，而NOR具有随机存取和写入(编程)字节的能力的优点(参见下面的图图2)。NOR的随机访问能力支持直接代码执行(XiP)，这是嵌入式应用程序经常需要的。NAND的缺点是随机存取速率慢，NOR的缺点是读写速度慢的性能限制。NAND更适合存储文件。现在越来越多的处理器有直接的NAND接口，可以直接从NAND导入数据(不用NOR)。
NAND真正的好处是编程速度快，擦除时间短。NAND支持5Mbps以上速率的连续写操作，其块擦除时间短至2ms，而NOR为750 ms，显然NAND在某些方面具有绝对优势。但是，它不适合直接随机访问。
对于16位器件，NOR闪存大约需要41个I/O引脚；相对来说，NAND设备只需要24针。NAND设备可以复用指令、地址和数据总线，从而节省引脚数量。复用接口的一个优点是，它可以使用相同的硬件设计和电路板来支持更大的n and设备。由于常见的TSOP-1封装已使用多年，该功能允许客户将更高密度的NAND设备移植到同一电路板上。NAND设备的另一个优势显然是其封装选项：NAND提供了一个厚膜2Gb芯片，或者可以支持多达四个堆叠的芯片，允许一个8Gb设备堆叠在同一个TSOP-1封装中。这使得封装和接口能够在未来支持更高的密度。
本文讲解到此结束，希望对大家有所帮助。